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計算機のIFドイツの失策

　1925年、ユダヤ系オーストリア人の物理学者、ユリウス・エドガー・リリエンフェルトがトランジスタの原型を発明、特許を取得した。

　34年に独のオスカー・ハイルが同様の発表を行っている。

　いずれもドイツ勢力圏で発表されたがツーゼのZシリーズと結合、発展する事はなかった。

　35年にイオン交換樹脂が発明され、38年に独の化学メーカーファルベンが工業生産しているが、樹脂を膜状に成形して純水製造に用いられたのは48年からだった。

　1947年の終わり頃、リリエンフェルトの理論を下敷きに米国のショックレー、バーディーン、ブラッテンの3名がトランジスタを発明。

　オスカーの発明を支援していたら半導体の登場を十年以上前倒しできたがそうならなかった。

　最初のトランジスタはゲルマニウム製だが高価な上に熱に弱い為軍用には不向きで、現在主流のシリコンが登場するのは54年。

　シリコンはノルウェーに良質な鉱山があり、現在も操業中である。

　ただ半導体は電圧や温度の変化、汚染された空気と振動が天敵なので近辺でレジスタンスが活動したり空襲される状況で生産は不可能。

　半導体洗浄に使う純水を精製するイオン交換膜の開発と生産を前倒ししない限り※1シリコンの戦力化は戦後になるだろう。

　※1……イオン交換樹脂の研究は1930年開始。

　参考文献

　電子立国日本の自叙伝上

　wiki

　トランジスタ、イオン交換膜、イオン交換樹脂。

パラメトロンが要らない子扱いになる可能性が(ただ当時の日本に化学分野で独に比肩する技術は……)